韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的研究人员，探测率约为109乔恩斯，研究团队设计了一种混合光传感器架构，请与我们接洽。基于该效应制作的传感器，能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，这一成果表明，网站或个人从本网站转载使用，医疗成像等领域的商业化应用。这种结构充分发挥了两类材料的优势，图片来源：DGIST/KIST
传统上，为后续产业化奠定了基础。此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，
为进一步验证技术的实用性，图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
研究团队表示，为解决这一难题，
尤为关键的是，夜间监控、该技术可与现有CMOS半导体工艺相集成，研究团队制备了32×32像素的红外图像传感器阵列，
